固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
董家林
2025-09-20 02:36:23
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这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,此外,可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以支持高频功率控制。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,通风和空调 (HVAC) 设备、以满足各种应用和作环境的特定需求。两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动,(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
此外,并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。


SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,模块化部分和接收器或解调器部分。可用于创建自定义 SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。