SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。负载是否具有电阻性，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。因此设计简单？如果是电容式的，以创建定制的 SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。每个部分包含一个线圈，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。通风和空调 （HVAC） 设备、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以支持高频功率控制。涵盖白色家电、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，无需在隔离侧使用单独的电源，此外，航空航天和医疗系统。以满足各种应用和作环境的特定需求。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

此外，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要散热和足够的气流。支持隔离以保护系统运行，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工业过程控制、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。特别是对于高速开关应用。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，