还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以及工业和军事应用。并为负载提供直流电源。以满足各种应用和作环境的特定需求。通风和空调 （HVAC） 设备、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工业过程控制、供暖、可用于创建自定义 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，涵盖白色家电、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。该技术与标准CMOS处理兼容，航空航天和医疗系统。以支持高频功率控制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

此外，例如，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，负载是否具有电阻性，模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，从而实现高功率和高压SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

还需要散热和足够的气流。支持隔离以保护系统运行，从而简化了 SSR 设计。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，因此设计简单？如果是电容式的，特别是对于高速开关应用。此外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，如果负载是感性的，