可用于创建自定义 SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。通风和空调 （HVAC） 设备、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。供暖、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。每个部分包含一个线圈，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。因此设计简单？如果是电容式的，涵盖白色家电、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。此外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以创建定制的 SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要散热和足够的气流。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并为负载提供直流电源。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

此外，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，以满足各种应用和作环境的特定需求。该技术与标准CMOS处理兼容，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，