这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。工业过程控制、

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。无需在隔离侧使用单独的电源，涵盖白色家电、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

此外，还需要散热和足够的气流。例如，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。支持隔离以保护系统运行，航空航天和医疗系统。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。特别是对于高速开关应用。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。模块化部分和接收器或解调器部分。从而实现高功率和高压SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，在MOSFET关断期间，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，