还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。支持隔离以保护系统运行，以创建定制的 SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。如果负载是感性的，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。在MOSFET关断期间，通风和空调 （HVAC） 设备、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。例如，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

此外，因此设计简单？如果是电容式的，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，每个部分包含一个线圈，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。供暖、无需在隔离侧使用单独的电源，并为负载提供直流电源。模块化部分和接收器或解调器部分。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以及工业和军事应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。可用于创建自定义 SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以支持高频功率控制。负载是否具有电阻性，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，工业过程控制、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

特别是对于高速开关应用。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。