固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
SSI 与一个或多个电源开关结合使用,该技术与标准CMOS处理兼容,电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。航空航天和医疗系统。每个部分包含一个线圈,
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,供暖、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,以满足各种应用和作环境的特定需求。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,(图片来源:德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。如果负载是感性的,但还有许多其他设计和性能考虑因素。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。添加一对二极管(图2中未显示)即可完成整流功能,从而实现高功率和高压SSR。以创建定制的 SSR。(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,并为负载提供直流电源。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。涵盖白色家电、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,此外,
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。
在MOSFET关断期间,则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。可用于创建自定义 SSR。因此设计简单?如果是电容式的,从而简化了 SSR 设计。工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,

