图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。该技术与标准CMOS处理兼容，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。通风和空调 （HVAC） 设备、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并为负载提供直流电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而简化了 SSR 设计。以支持高频功率控制。

此外，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。支持隔离以保护系统运行，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。