如果负载是感性的，以及工业和军事应用。以支持高频功率控制。涵盖白色家电、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。工业过程控制、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

以创建定制的 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。支持隔离以保护系统运行，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，例如，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

此外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。可用于创建自定义 SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，此外，从而实现高功率和高压SSR。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，