设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

此外，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而简化了 SSR 设计。负载是否具有电阻性，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要散热和足够的气流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，工业过程控制、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以支持高频功率控制。从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，但还有许多其他设计和性能考虑因素。例如，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。