该技术与标准CMOS处理兼容，以创建定制的 SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。因此设计简单？如果是电容式的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而简化了 SSR 设计。

此外，如果负载是感性的，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以及工业和军事应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以支持高频功率控制。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。每个部分包含一个线圈，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并为负载提供直流电源。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，此外，负载是否具有电阻性，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，无需在隔离侧使用单独的电源，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工业过程控制、可用于创建自定义 SSR。