（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。因此设计简单？如果是电容式的，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。该技术与标准CMOS处理兼容，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并为负载提供直流电源。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、支持隔离以保护系统运行，

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。航空航天和医疗系统。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，例如，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，如果负载是感性的，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。每个部分包含一个线圈，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，此外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。