固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
王袁
2025-09-19 18:10:05
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并为负载提供直流电源。负载是否具有电阻性,还需要散热和足够的气流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。每个部分包含一个线圈,例如,供暖、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求,显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。(图片:东芝)
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。
SSI 与一个或多个电源开关结合使用,可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,(图片来源:英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用,涵盖白色家电、是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动,
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,但还有许多其他设计和性能考虑因素。添加一对二极管(图2中未显示)即可完成整流功能,

基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以创建定制的 SSR。特别是对于高速开关应用。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。从而简化了 SSR 设计。并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。
