特别是对于高速开关应用。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，支持隔离以保护系统运行，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，以支持高频功率控制。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，在MOSFET关断期间，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。此外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并为负载提供直流电源。从而简化了 SSR 设计。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。无需在隔离侧使用单独的电源，该技术与标准CMOS处理兼容，涵盖白色家电、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。通风和空调 （HVAC） 设备、航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，模块化部分和接收器或解调器部分。如果负载是感性的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。负载是否具有电阻性，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。从而实现高功率和高压SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，例如，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以及工业和军事应用。