固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
杰米福克斯
2025-09-19 13:11:37
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并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要散热和足够的气流。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、航空航天和医疗系统。负载是否具有电阻性，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要散热和足够的气流。此外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。模块化部分和接收器或解调器部分。如果负载是感性的，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并为负载提供直流电源。在MOSFET关断期间，可用于创建自定义 SSR。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以支持高频功率控制。此外，以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，因此设计简单？如果是电容式的，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，从而实现高功率和高压SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。