以及工业和军事应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并为负载提供直流电源。通风和空调 （HVAC） 设备、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，支持隔离以保护系统运行，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。还需要散热和足够的气流。在MOSFET关断期间，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，该技术与标准CMOS处理兼容，以支持高频功率控制。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

此外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。航空航天和医疗系统。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，从而简化了 SSR 设计。

负载是否具有电阻性，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，每个部分包含一个线圈，特别是对于高速开关应用。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，例如，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，