以支持高频功率控制。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以创建定制的 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。例如，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以及工业和军事应用。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，无需在隔离侧使用单独的电源，航空航天和医疗系统。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。从而简化了 SSR 设计。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

此外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。模块化部分和接收器或解调器部分。