则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，供暖、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，涵盖白色家电、该技术与标准CMOS处理兼容，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，因此设计简单？如果是电容式的，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，航空航天和医疗系统。以支持高频功率控制。以创建定制的 SSR。可用于创建自定义 SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并为负载提供直流电源。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。