以满足各种应用和作环境的特定需求。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并为负载提供直流电源。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以创建定制的 SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。通风和空调 （HVAC） 设备、以支持高频功率控制。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，从而简化了 SSR 设计。例如，该技术与标准CMOS处理兼容，