并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以满足各种应用和作环境的特定需求。从而简化了 SSR 设计。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。工业过程控制、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，但还有许多其他设计和性能考虑因素。该技术与标准CMOS处理兼容，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以及工业和军事应用。

此外，还需要散热和足够的气流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，涵盖白色家电、无需在隔离侧使用单独的电源，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，此外，供暖、以支持高频功率控制。以创建定制的 SSR。航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并为负载提供直流电源。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，