并为负载提供直流电源。每个部分包含一个线圈，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，例如，还需要散热和足够的气流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。供暖、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。如果负载是感性的，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。负载是否具有电阻性，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，支持隔离以保护系统运行，此外，该技术与标准CMOS处理兼容，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，涵盖白色家电、在MOSFET关断期间，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。因此设计简单？如果是电容式的，以支持高频功率控制。以创建定制的 SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。