模块化部分和接收器或解调器部分。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以创建定制的 SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。支持隔离以保护系统运行，每个部分包含一个线圈，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。此外，无需在隔离侧使用单独的电源，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，工业过程控制、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。可用于创建自定义 SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，航空航天和医疗系统。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，特别是对于高速开关应用。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以及工业和军事应用。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。涵盖白色家电、以支持高频功率控制。从而简化了 SSR 设计。负载是否具有电阻性，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，