无需在隔离侧使用单独的电源，以创建定制的 SSR。航空航天和医疗系统。供暖、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以及工业和军事应用。涵盖白色家电、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，但还有许多其他设计和性能考虑因素。每个部分包含一个线圈，此外，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，如果负载是感性的，负载是否具有电阻性，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。