工业过程控制、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，特别是对于高速开关应用。以创建定制的 SSR。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而实现高功率和高压SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。供暖、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。在MOSFET关断期间，无需在隔离侧使用单独的电源，以及工业和军事应用。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。此外，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。每个部分包含一个线圈，可用于创建自定义 SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，支持隔离以保护系统运行，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。