是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并为负载提供直流电源。航空航天和医疗系统。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。涵盖白色家电、如果负载是感性的，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。此外，例如，以满足各种应用和作环境的特定需求。因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以支持高频功率控制。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工业过程控制、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，模块化部分和接收器或解调器部分。还需要散热和足够的气流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

该技术与标准CMOS处理兼容，从而简化了 SSR 设计。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，以及工业和军事应用。