图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，特别是对于高速开关应用。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。从而简化了 SSR 设计。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，可用于创建自定义 SSR。并为负载提供直流电源。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，工业过程控制、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。支持隔离以保护系统运行，模块化部分和接收器或解调器部分。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，负载是否具有电阻性，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。例如，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。如果负载是感性的，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以支持高频功率控制。

此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。