（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，该技术与标准CMOS处理兼容，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而简化了 SSR 设计。因此设计简单？如果是电容式的，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，负载是否具有电阻性，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，但还有许多其他设计和性能考虑因素。可用于创建自定义 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。从而实现高功率和高压SSR。

此外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。通风和空调 （HVAC） 设备、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。模块化部分和接收器或解调器部分。还需要散热和足够的气流。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。如果负载是感性的，供暖、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以创建定制的 SSR。