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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?

还需要散热和足够的气流。

固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,

此外,无需在隔离侧使用单独的电源,(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而实现高功率和高压SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,(图片:东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用,SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。在MOSFET关断期间,固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。(图片来源:德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,特别是对于高速开关应用。电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。

此外,并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。航空航天和医疗系统。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。但还有许多其他设计和性能考虑因素。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,模块化部分和接收器或解调器部分。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,以支持高频功率控制。</p><p>基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、可用于创建自定义 SSR。如果负载是感性的,例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。通风和空调 (HVAC) 设备、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,(图片来源:英飞凌)<p>总结</p><p>基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用,两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,该技术与标准CMOS处理兼容,</p><img src=图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如,供暖、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,