固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
郭可盈
2025-09-19 03:24:52
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还需要散热和足够的气流。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如,供暖、
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,
此外,无需在隔离侧使用单独的电源,(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而实现高功率和高压SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,(图片:东芝)SSI 与一个或多个电源开关结合使用,SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。在MOSFET关断期间,固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。(图片来源:德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,特别是对于高速开关应用。电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。
此外,并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。航空航天和医疗系统。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。但还有许多其他设计和性能考虑因素。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,模块化部分和接收器或解调器部分。

驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,