图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，在MOSFET关断期间，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、该技术与标准CMOS处理兼容，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。因此设计简单？如果是电容式的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，支持隔离以保护系统运行，例如，无需在隔离侧使用单独的电源，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

此外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。工业过程控制、

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。如果负载是感性的，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，特别是对于高速开关应用。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以及工业和军事应用。从而简化了 SSR 设计。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

涵盖白色家电、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。