是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。无需在隔离侧使用单独的电源，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以支持高频功率控制。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。工业过程控制、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。负载是否具有电阻性，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

此外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并为负载提供直流电源。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。支持隔离以保护系统运行，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。此外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、