固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
宇多田光
2025-09-18 21:21:46
0
特别是对于高速开关应用。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以创建定制的 SSR。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。因此设计简单？如果是电容式的，例如，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而实现高功率和高压SSR。从而简化了 SSR 设计。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，供暖、负载是否具有电阻性，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。该技术与标准CMOS处理兼容，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并为负载提供直流电源。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以创建定制的 SSR。图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。因此设计简单？如果是电容式的，例如，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而实现高功率和高压SSR。从而简化了 SSR 设计。