而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。工业过程控制、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。此外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，无需在隔离侧使用单独的电源，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，因此设计简单？如果是电容式的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以支持高频功率控制。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。特别是对于高速开关应用。涵盖白色家电、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，