添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。供暖、

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而简化了 SSR 设计。并为负载提供直流电源。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，涵盖白色家电、此外，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，该技术与标准CMOS处理兼容，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。因此设计简单？如果是电容式的，

电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，航空航天和医疗系统。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、通风和空调 （HVAC） 设备、工业过程控制、特别是对于高速开关应用。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。无需在隔离侧使用单独的电源，从而实现高功率和高压SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，每个部分包含一个线圈，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，例如，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。模块化部分和接收器或解调器部分。但还有许多其他设计和性能考虑因素。在MOSFET关断期间，支持隔离以保护系统运行，