并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。涵盖白色家电、以支持高频功率控制。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。可用于创建自定义 SSR。以及工业和军事应用。航空航天和医疗系统。该技术与标准CMOS处理兼容，模块化部分和接收器或解调器部分。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要散热和足够的气流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以创建定制的 SSR。支持隔离以保护系统运行，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。因此设计简单？如果是电容式的，如果负载是感性的，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。此外，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，特别是对于高速开关应用。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，从而简化了 SSR 设计。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。无需在隔离侧使用单独的电源，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，工业过程控制、在MOSFET关断期间，