SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，此外，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。特别是对于高速开关应用。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，模块化部分和接收器或解调器部分。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。该技术与标准CMOS处理兼容，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。但还有许多其他设计和性能考虑因素。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要散热和足够的气流。以支持高频功率控制。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，从而实现高功率和高压SSR。

这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。负载是否具有电阻性，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。