图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，从而实现高功率和高压SSR。可用于创建自定义 SSR。以支持高频功率控制。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以满足各种应用和作环境的特定需求。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

此外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。如果负载是感性的，例如，