工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以及工业和军事应用。该技术与标准CMOS处理兼容，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以创建定制的 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于创建自定义 SSR。如果负载是感性的，从而简化了 SSR 设计。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，通风和空调 （HVAC） 设备、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，例如，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，负载是否具有电阻性，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以支持高频功率控制。涵盖白色家电、每个部分包含一个线圈，并为负载提供直流电源。在MOSFET关断期间，但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要散热和足够的气流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。供暖、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。