（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。可用于创建自定义 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并为负载提供直流电源。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，还需要散热和足够的气流。此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。模块化部分和接收器或解调器部分。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以创建定制的 SSR。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。该技术与标准CMOS处理兼容，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，供暖、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，如果负载是感性的，

通风和空调 （HVAC） 设备、