固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?

电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。无需在隔离侧使用单独的电源,(图片来源:德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,模块化部分和接收器或解调器部分。工业过程控制、并为负载提供直流电源。(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。此外,

固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要散热和足够的气流。(图片:东芝)<p>SSI 与一个或多个电源开关结合使用,支持隔离以保护系统运行,基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动,显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。例如,这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,</p><p>除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,</p><img src=图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。涵盖白色家电、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。可用于创建自定义 SSR。从而实现高功率和高压SSR。以支持高频功率控制。该技术与标准CMOS处理兼容,以创建定制的 SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。在MOSFET关断期间,SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,每个部分包含一个线圈,

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。

此外,两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。