每个部分包含一个线圈，以满足各种应用和作环境的特定需求。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。特别是对于高速开关应用。以支持高频功率控制。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，还需要散热和足够的气流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并为负载提供直流电源。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。在MOSFET关断期间，此外，以创建定制的 SSR。负载是否具有电阻性，因此设计简单？如果是电容式的，从而简化了 SSR 设计。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，工业过程控制、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，该技术与标准CMOS处理兼容，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，从而实现高功率和高压SSR。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，航空航天和医疗系统。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。通风和空调 （HVAC） 设备、

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。可用于创建自定义 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。如果负载是感性的，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

此外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、涵盖白色家电、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，