SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。如果负载是感性的，以及工业和军事应用。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，从而实现高功率和高压SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。特别是对于高速开关应用。该技术与标准CMOS处理兼容，每个部分包含一个线圈，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。航空航天和医疗系统。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。还需要散热和足够的气流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。模块化部分和接收器或解调器部分。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。工业过程控制、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，因此设计简单？如果是电容式的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

此外，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。