供暖、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

此外，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。例如，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。特别是对于高速开关应用。并为负载提供直流电源。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，还需要散热和足够的气流。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，涵盖白色家电、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，从而实现高功率和高压SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以及工业和军事应用。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。在MOSFET关断期间，负载是否具有电阻性，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，因此设计简单？如果是电容式的，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。每个部分包含一个线圈，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。从而简化了 SSR 设计。航空航天和医疗系统。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。