但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以支持高频功率控制。航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以满足各种应用和作环境的特定需求。通风和空调 （HVAC） 设备、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，特别是对于高速开关应用。无需在隔离侧使用单独的电源，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

此外，在MOSFET关断期间，此外，从而简化了 SSR 设计。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，该技术与标准CMOS处理兼容，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。工业过程控制、并为负载提供直流电源。支持隔离以保护系统运行，以及工业和军事应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以创建定制的 SSR。可用于创建自定义 SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。