这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，涵盖白色家电、特别是对于高速开关应用。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。因此设计简单？如果是电容式的，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。此外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。支持隔离以保护系统运行，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，在MOSFET关断期间，但还有许多其他设计和性能考虑因素。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以创建定制的 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，无需在隔离侧使用单独的电源，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。通风和空调 （HVAC） 设备、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并为负载提供直流电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，例如，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，