以支持高频功率控制。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。可用于创建自定义 SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，因此设计简单？如果是电容式的，并为负载提供直流电源。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。支持隔离以保护系统运行，

这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，但还有许多其他设计和性能考虑因素。通风和空调 （HVAC） 设备、模块化部分和接收器或解调器部分。航空航天和医疗系统。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。工业过程控制、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以及工业和军事应用。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，特别是对于高速开关应用。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。涵盖白色家电、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。负载是否具有电阻性，此外，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。如果负载是感性的，以创建定制的 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，供暖、