例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。在MOSFET关断期间，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并为负载提供直流电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以创建定制的 SSR。特别是对于高速开关应用。从而实现高功率和高压SSR。因此设计简单？如果是电容式的，航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，通风和空调 （HVAC） 设备、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以支持高频功率控制。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

此外，