供暖、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并为负载提供直流电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。工业过程控制、

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，可用于创建自定义 SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

此外，

基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。通风和空调 （HVAC） 设备、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以创建定制的 SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以支持高频功率控制。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、